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삼성전자 파운드리사업부가 7나노 공정을 기반으로 6나노로 직행하겠다는 계획을 수립했다. 대만 TSMC에 퀄컴 등 주요 고객사 7나노 칩 위탁생산(파운드리) 물량을 빼앗긴 뒤 세운 반격 전략이다.
6나노는 7나노 기술을 기반으로 하지만 배선 폭을 더욱 미세화한 공정이다. 7나노보다 칩 면적이 좁아 원가 면에서 유리할 것으로 예상된다. 전력 효율과 성능도 개선된다.
삼성전자는 2019년 6나노를 양산하겠다는 목표를 세웠다. 내년의 7나노 위탁생산 물량 부재는 10나노의 마이너 업그레이드 버전인 8나노 공정으로 대응할 계획이다.
26일 관련업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 7나노 공정 고객사 확보가 경쟁사인 TSMC보다 늦었다는 판단을 내리고 6나노에 힘을 쏟기로 가닥을 잡았다. 이를 위해 최근 양산형 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비인 ASML NXE3400B를 올해 2대, 내년에 7대 들여놓기로 했다. 1대는 조만간 경기도 화성 17라인에 배치돼 운용 테스트를 시작한다. 나머지 1대는 하반기에 들어온다. 내년 7대가 순차로 들어오는 시기에 맞춰 7나노와 6나노 시스템반도체 파운드리 생산 공장으로 장비가 이전 배치될 전망이다.