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작성일 : 24-07-24 20:23
하이밴드위치 메모리(HBM)에대해
 글쓴이 : KilLoB
조회 : 514  

오로지 AI주가일껀데.. 아는범위말하면

1. 컴퓨터 연산서(저장말고) 가장 속도 떨어지는게 메모리.. 시피유속도를 혼자병목
2. 문제제기 시작은 팬티엄3때 인텔이 시작했는데 원인은 당시 클럭빨이 맨첨 133mhz에서 마지막엔 1g까지 증가할때 sd램 속도는 66? 하여튼 끝까지 고대로 병목만듬..

3.그래서 나온게 램버스 디램이라고 더미램끼는 인텔전용램.. 비싸고 실패..

4. 그이후 나온게 현재 ddr 램 체계인데. 속도는 그대로 두고 대역폭으로 따불 따따불식으로 그나마 병목줄이는 그 개념

그거 입력하고

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5. 이게 그래픽 칩에서도 재현이됨
애초 그래픽칩이란건.. 큰데이터 상대적 직렬로  cpu.. 작은 데이터로 상대적 병렬로가 gpu

6.게임 그래픽이 cpu만큼 고성능이 필요해진결과 또 메모리가 발목을 잡는 현상이 극심.. 그래서 AMDㅡ당시ㅜ라데온인가?가(인텔.엔비디아가 아니고) gddr6...칩속도는 못올리겠으니 대역폭 따불로 승부하는.. 그런류에 하이 밴드위치 메모리 HBM을 최초적용함

7.예전 베가인가 그쪽이 시작인데.. 핵심개념은 적층.. 메모리위에 메모리를 또 쌓는다.. v캐쉬라고 3d용 cpu라고 x3d를 이런식으로 한걸 메모리에도 적용하는거임. gpu안에 메모리를 같이 적층식으로 쌓는거

8. gpu뜯어보면 중간에 gpu고 삥돌아 메모리 배열인데 이게 직렬연결로 아는데 그게 일반적으론 최선의 배열방식인데.. 문제는...gpu 메모리 사이 거리가 너무멀어 손실데이터가 너무크다는거.. 그걸 amd가 근본적 개선시도한게 저거.. cpu안에 메모리를 같이 넣어서.. 선도 필요없게.../저걸로 메모리 대역폭(클럭속도가 아니고) 또 따불 3개ㅜ적층 4개적층.. 이런식 더 쉽게 올려 결국 cpu병목을 획기적으로 줄인다..

9. 시작한 amd입장 문제는 자기들은 메모리 만들능력이 없다는거. 삼성 하이닉스나 마이크론이 갖고있는데.. 그래서.했슴
 ㅡ 근데 삼성은 빠졌었슴. 퓨리 베가 처참한 판매율..때문외 문제가 있는데 고수율이 필요하다는거과 같은 적층식인 제조공정과정 x3d시리즈
 보면.. 전력량은 적게 먹는데 비해  온도가 높다는게 적층식의 문제점.. 4개까지 쌓으려는게 발열.수율문제 계륵이다 보고 빠졌던게 삼성
그래서 하이닉스가 저기술은 더낫다 알려져있슴

10. 베가 퓨리당시... 길게 기판의 선대신 접합한곳이 아남 국내 뭐시기였을꺼.. 완성된 지피유를 국내갖고와 전량 저기서 메모리와 접합했었을꺼
 ㅡ 지금도 비슷하지 않을까? 잘모름

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11. 지금 HBM타령하는건 AI칩을 엔비디아가 저렇게 만드려고 하기때문인데.. 이게 gpgpu? 비슷한 개념인거 같던데. 이것도 아마 라데온..amd가 먼저했던걸로

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몇년전 포기했다가 최근 부랴부랴 다시한게 이재용이라니깐.. 재들 늦음...
 라데온 6시리즈가 평가가 좋고 상대적으로 지포스 3시리즈가 발열.전력등 말이 많았던게...
그게 삼성파운드리 문제임.. 4시리즈 대만으로가자 또 확 좋아졌지.


물론 현재 2개 적층만해도 .. 클럭스피드 줄여도 훨씬좋긴함
그니깐 구조적 특성상 발열문제와 이로인한 고수율만되는 문제가 남아있고
삼성보단 sk가 기술낫고. 퓨리.베가때 전량 접합작업한 국내 뭐시기 회사.. 그정도

ai..솔직히 그림그리고 나중엔 포ㄹ노?등 영화도 이걸로 만든다는데(it회사들 파이가 역사적으론 이걸로 엄청커졌음) ...
원래인 게임용..amd에선 솔직히 실패한게 HBM이라 생각함
출처 : 해외 네티즌 반응 - 가생이닷컴https://www.gasengi.com




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벌레 24-07-24 20:30
   
예. 보드나라쪽 견해를 들어보는 것이 기본적인 상황이해에 도움이 될 것 같더군요 ^^
     
KilLoB 24-07-24 20:33
   
맞아요. 기본 그쪽 감자나무님 생각인데.. 여지저기 약간 알던거도 있슴.. 대충 이해했다고는 생각하는데.. 뭐
KilLoB 24-07-24 20:48
   
아참 컴팩트화로 인한 이점이 제일큰거.. 말안했네. 칩하나로 기판 확줄일수 있으니..
9월생 24-07-24 21:26
   
한미 주주로써 저가 공부 한바로는

반도체 적층시에 sk랑 한미는 열로 붙여서 쌓는 구조이고 삼성과 일본회사는 필림으로 붙이는 공정으로

알고있습니다 .

8단까지는 열로 본딩해서 HBM3E 가능하고 12단부터는 한미랑 sk 에서는 필림과 열로 본딩연구중인데

상당히 좋은 결과물나온다고 알고있습니다 .