삼성이 3nm GAA 공정의 테이프 아웃에 성공했습니다. GAA-게이트 올 어라운드-는 기존의 FinFET 대신 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 사용해 제조되며, 성능을 더욱 높일 수 있으리라 기대되는 기술입니다.

 

5nm와 비교해 3nm GAA는 로직 면적 효율이 35% 높아지고 전력 사용량은 50% 줄어들며 성능은 30% 향상된다고 합니다.

 

삼성은 2019년에 3nm GAA 공정의 PDK-물리 설계 키트-를 공개했습니다. 이번의 3nm 테이프 아웃은 Synopsys와 함께 한 것이며, 두 회사가 함께 공정 설계, 생산 과정을 검증합니다.

여기서 테이프 아웃이란 위탁생산을 위한 준비과정을 마쳤다는 뜻

https://www.eenewseurope.com/news/samsung-foundry-tapes-out-3nm-gaa-chip