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경제 게시판
작성일 : 19-01-25 14:27
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차'
글쓴이 :
스크레치
조회 : 3,003
http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704
2021년엔 3나노까지..
미
국 IT전문매체에 따르면 삼성전자는 2021년 GAAFET을 활용한 3나노 공정을 양산할
계획이다.
역시나 압도적인 기술력으로 준비중이고
시장을 선도할 준비를 하고 있군요
삼성전자가 3나노 미세공정까지 초격차로 가장 먼저 도달할것이라 개인적으로 생각합니다.
화이팅입니다.
출처 : 해외 네티즌 반응 - 가생이닷컴
https://www.gasengi.com
가생이닷컴 운영원칙
알림:공격적인 댓글이나 욕설, 인종차별적인 글, 무분별한 특정국가 비난글등 절대 삼가 바랍니다.
스크레치
19-01-25 14:27
http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704
http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704
Banff
19-01-26 03:00
기자가 좀 비전문가인듯 한데, GAA-fet는 트랜지스터의 물성 구조에 관련된 Device 얘기여서 파운드리나 Manufacturing과 관련되었지 비메모리 설계와는 다른 얘기죠. 같은 크기일경우 지금의 Fin-fet보다 더 좋은 I-V Curve 전기적 특성을 지니는 트랜지스터로 알려져 있습니다. 그러면 같은 size의 chip일경우 보다 저전력이면서 clock frequency는 더 높일 수 있겠죠.
* FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability
https://ieeexplore.ieee.org/document/8288601
기자가 좀 비전문가인듯 한데, GAA-fet는 트랜지스터의 물성 구조에 관련된 Device 얘기여서 파운드리나 Manufacturing과 관련되었지 비메모리 설계와는 다른 얘기죠. 같은 크기일경우 지금의 Fin-fet보다 더 좋은 I-V Curve 전기적 특성을 지니는 트랜지스터로 알려져 있습니다. 그러면 같은 size의 chip일경우 보다 저전력이면서 clock frequency는 더 높일 수 있겠죠. * FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability https://ieeexplore.ieee.org/document/8288601
멀리뛰기
21-01-02 15:16
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 잘 보았습니다.
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 잘 보았습니다.
멀리뛰기
21-01-08 15:06
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 감사합니다.
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 감사합니다.
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