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작성일 : 19-01-25 14:27
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차'
 글쓴이 : 스크레치
조회 : 3,003  

http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704







2021년엔 3나노까지.. 

국 IT전문매체에 따르면 삼성전자는 2021년 GAAFET을 활용한 3나노 공정을 양산할 계획이다. 





역시나 압도적인 기술력으로 준비중이고 

시장을 선도할 준비를 하고 있군요 


삼성전자가 3나노 미세공정까지 초격차로 가장 먼저 도달할것이라 개인적으로 생각합니다. 

화이팅입니다. 


출처 : 해외 네티즌 반응 - 가생이닷컴https://www.gasengi.com


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스크레치 19-01-25 14:27
   
Banff 19-01-26 03:00
   
기자가 좀 비전문가인듯 한데, GAA-fet는 트랜지스터의 물성 구조에 관련된 Device 얘기여서 파운드리나 Manufacturing과 관련되었지 비메모리 설계와는 다른 얘기죠.  같은 크기일경우 지금의 Fin-fet보다 더 좋은 I-V Curve 전기적 특성을 지니는 트랜지스터로 알려져 있습니다. 그러면 같은 size의 chip일경우 보다 저전력이면서 clock frequency는 더 높일 수 있겠죠.

* FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability
https://ieeexplore.ieee.org/document/8288601
멀리뛰기 21-01-02 15:16
   
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차'  잘 보았습니다.
멀리뛰기 21-01-08 15:06
   
[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 감사합니다.
 
 
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