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작성일 : 19-01-25 14:27

[전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차'

글쓴이 : 스크레치

http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704

2021년엔 3나노까지..

미국 IT전문매체에 따르면 삼성전자는 2021년 GAAFET을 활용한 3나노 공정을 양산할 계획이다.

역시나 압도적인 기술력으로 준비중이고

시장을 선도할 준비를 하고 있군요

삼성전자가 3나노 미세공정까지 초격차로 가장 먼저 도달할것이라 개인적으로 생각합니다.

화이팅입니다.

출처 : 해외 네티즌 반응 - 가생이닷컴https://www.gasengi.com

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		스크레치 19-01-25 14:27 http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704 http://www.newstomato.com/ReadNews.aspx?no=870704



		Banff 19-01-26 03:00 기자가 좀 비전문가인듯 한데, GAA-fet는 트랜지스터의 물성 구조에 관련된 Device 얘기여서 파운드리나 Manufacturing과 관련되었지 비메모리 설계와는 다른 얘기죠. 같은 크기일경우 지금의 Fin-fet보다 더 좋은 I-V Curve 전기적 특성을 지니는 트랜지스터로 알려져 있습니다. 그러면 같은 size의 chip일경우 보다 저전력이면서 clock frequency는 더 높일 수 있겠죠. * FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability https://ieeexplore.ieee.org/document/8288601 기자가 좀 비전문가인듯 한데, GAA-fet는 트랜지스터의 물성 구조에 관련된 Device 얘기여서 파운드리나 Manufacturing과 관련되었지 비메모리 설계와는 다른 얘기죠. 같은 크기일경우 지금의 Fin-fet보다 더 좋은 I-V Curve 전기적 특성을 지니는 트랜지스터로 알려져 있습니다. 그러면 같은 size의 chip일경우 보다 저전력이면서 clock frequency는 더 높일 수 있겠죠. * FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability https://ieeexplore.ieee.org/document/8288601



		멀리뛰기 21-01-02 15:16 [전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 잘 보았습니다. [전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 잘 보았습니다.



		멀리뛰기 21-01-08 15:06 [전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 감사합니다. [전기/전자] EUV 다음은 GAA…삼성전자 비메모리도 '초격차' 감사합니다.

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