TSMC, 2나노 공장 부지 작업 시작…관련 R&D센터는 내년 선봬
2나노 포함 첨단 기술 개발에 올해 350억달러 투자
3나노 양산서 뒤쳐진 TSMC, GAA 2나노로 승부 볼까
TSMC 추격하는 삼성, 기술 격차·생산 능력 확대 과제
세계 파운드리 시장 1, 2위 사업자인 대만 TSMC와 삼성전자가 3나노미터(㎚)에 이어 이번엔 2㎚로 경쟁 무대를 옮기는 모습이다. TSMC가 2㎚ 선단 공정을 위한 작업을 구체화하면서 TSMC를 추격하는 삼성전자 발등에 불이 떨어졌다. 결국 기술 격차를 벌리면서 생산 능력(캐파)을 늘리는 것이 삼성전자에 해법이 될 수 있다는 평가다.
반도체 업계는 TSMC가 2㎚ 공정 관련 분주한 행보를 보이는 배경에 삼성전자와의 경쟁이 있다고 봤다. TSMC가 이달 3㎚ 공정 양산을 시작하는 가운데 앞서 삼성전자가 6월 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3㎚ 공정 기반 초도 양산을 시작하며 기술 주도권을 뺏긴 상황이기 때문이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 성능은 높이되 칩 면적과 소비 전력은 줄인 차세대 기술이다.
TSMC는 이같은 상황에서 지난달 3㎚ 공정 수율이 80%가 넘는다며 예외적으로 대외에 수율을 공개했다. GAA 3나노 공정에서 수율을 끌어올려야 하는 삼성전자 과제를 의식한 듯한 발언이다. 지난달 30일(현지시각)에는 웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)가 대만에서 열린 TSMC 기술포럼에서 "TSMC는 절대 내 제품을 만들지 않는다"며 "TSMC 성공은 곧 고객의 성공이지만 경쟁 상대는 감히 이렇게 말할 수 없을 것"이라고 말했다. 삼성전자를 간접적으로 저격했다는 해석이 나온다.
삼성전자로선 3㎚ 경쟁이 본격화한 상황에서 TSMC가 2㎚ 공정에 곧바로 힘을 싣는 것이 부담으로 작용할 수 있다. TSMC가 파운드리 시장 점유율 과반을 차지하는 상황에서 추격을 위해 여러 전략을 모색해야 하는 때인데, 선단 공정 경쟁의 속도가 빨라지는 상황이다. 특히 TSMC가 2㎚ 공정부터 GAA 기술을 적용하는 만큼 앞선 도입에 따른 GAA 성숙도를 높여야 하는 과제를 안았다. 삼성전자와 TSMC는 2㎚ 양산 시점을 동일하게 2025년으로 봤다.
삼성전자는 TSMC와의 파운드리 경쟁에서 기술 격차를 확보하면서 TSMC 고객을 자사 고객으로 유치하는 등 묘수를 마련하겠다는 입장이다. 대형 고객사 유치를 위해선 생산 능력(캐파)을 먼저 키우는 것이 필수인 만큼 이를 살피겠다는 계획도 더했다.
https://n.news.naver.com/mnews/article/277/0005148528?sid=101
작성일 : 22-09-18 07:36
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