글쓴이 : 굿잡스

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평택3공장(P3), 다음 달 장비 반입 시작
하반기 완공 목표.. 내년 초 반도체 양산
176단 이상 낸드플래시부터 생산
삼성전자 올해 시설투자 44조원 달할 듯


P3 규모가 큰 이유는 이 팹이 메모리·파운드리(반도체 위탁생산) 복합 첨단 생산시설이기 때문.

극자외선(EUV) 노광공정을 적용한 10㎚(나노미터·10억분의 1m) D램과 176단 이상 7세대 V(버티컬)낸드, 3㎚ 초미세공정 파운드리 등 최신기술이 P3에 적용. 이런 시설을 갖추는 데에만 30조~50조원의 금액이 투입된다는 게 업계 설명.
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P3가 하반기 완공되면 삼성전자는 평택캠퍼스 내 확보한 반도체 팹 부지의 절반 이상을 채우게 된다. 이어 삼성전자는 평택4공장(P4) 착공에 들어갈 예정. P3와 P4는 최근 데이터센터, 서버용 중심으로 고집적 메모리 수요가 증가하는 데 따라 이 분야 기술과 생산역량을 강화하는 역할. 5㎚ 이하 초미세공정 파운드리의 경쟁력도 함께 확보.