30일 업계에 따르면 최근 대만의 디지타임스는 익명의 소식통을 인용해 삼성전자가 GAA의 누설전류 해결 등 기술적인 난관을 극복하지 못하고 있다고 보도했다.
이 매체는 지난 18일에도 2023년까지 삼성이 GAA를 적용한 반도체를 대량양산할 수 없을 것이라고 주장했다. 삼성전자는 내년부터 GAA 기술로 대량양산에 들어간다는 계획이다.
디지타임스가 삼성전자 기술력을 깎아내리는 것은 삼성을 견제해 TSMC의 고객사 이탈을 방지하기 위한 목적이 큰 것으로 풀이된다. 디지타임스는 TSMC가 지분을 갖고 있는 매체다.
지난해
이 매체는 5나노 공정의 수율이 낮아 삼성전자가 어려움을 겪고 있다고 주장하기도 했다. 지난 18일 이 매체는 디지타임스리서치가
밝힌 내용을 인용해 "2023년까지 삼성전자가 3나노 공정에 GAA 기술을 적용해 대량양산에 들어가긴 어려워 보인다"면서 "이로
인해 삼성은 차세대 칩 경쟁에서 불리해질 것"이라고도 했다.
삼성전자 관계자는 이와 관련해 "내년 GAA 기술로 반도체를 대량양산한다는 계획에는 변함이 없다"고 말했다.
지난달 29일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 내년 3나노 1세대 제품을 양산하겠다고 밝혔다. 오는 2023년에는 GAA 적용 3나노 2세대 제품 양산을 시작한다는 방침이다.
지난 24일 삼성전자는 대규모 투자와 함께 GAA 등 신기술을 적용한 신구조 개발로 3나노 이하 반도체를 조기 양산할 것이라는 내용을 발표했다.
https://daily.hankooki.com/lpage/ittech/202108/dh20210830155527138240.htm
작성일 : 21-08-30 16:22
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