인텔이 파운드리업체들이 공정명에 붙이는 '5nm(나노미터, 10억분의 1m)' '7nm' 같은 선폭(트랜지스터 게이트의 폭) 숫자에 대해 "업계에 혼란을 주고 있다"고 지적했다. TSMC, 삼성전자 등이 '기술 마케팅' 목적으로 실제 제품 스펙과 다른 숫자를 쓰고 있다는 얘기다. 인텔이 파운드리 산업 진출을 앞두고 '기술력이 삼성전자, TSMC보다 떨어진다'는 인식을 불식시키기 위한 전략으로 분석된다.
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우선 그동안 실제 선폭/트랜지스터 집적도는 타사에 비해 동일하거나 앞서는데 공정 명칭이 밀려 손해를 보던걸 바꾸겠다는 주장입니다. 예를 들어 기존 인텔 10nm -> "인텔 7", 인텔 7nm -> "인텔 4", 그 이후부터는 "인텔 3", "인텔 20A", "인텔 18A" 이런 식으로 바꿔 부르겠다는 뜻. (A = 1옹스트롬 = 0.1nm)
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ㅋㅋㅋㅋ 인텔도 TSMC 나 삼성이 하는 식으로 두룩 뭉수리하게
공정 이름에 별 의미도 없는 마케팅용 숫자를 붙이겠다는 것임.
어떻게 몇년동안이나 10 나노로 부르던게 하루 아침에 인텔 7이 되는지...
삼성 3 나노 = 1.7 M Tr/mm2 (2022년 양산 예정)
TSMC 5 나노 = 1.73 M Tr/mm2 (2020년 양산)
인텔 인텔 4 (구 명칭 7 나노) = 1.8 M Tr/mm2 (2023 양산 예정)
작성일 : 21-07-27 12:24
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