삼성전자가 차세대 DDR5 메모리에서 8스택 TSV 모듈을 도입한다. 

ComputerBase에 따르면 삼성전자는 Hot Chips 33 컨퍼런스에서 DDR5 고용량 메모리 구성을 위한 8-폴드  스택 칩 패키징에 대해 소개했는데, 업계 최초 7.2Gbps 512GB DDR5 모듈은 기존 DDR4 대비 성능은 1.4배,  속도는 2.2배, 용량은 2배 올라가면서 소비 전력은 0.92배로 줄였다.

기존 DDR4 메모리는 최대 4개의 다이를 쌓는 방식(4H TSV)으로 1.2mm 두께를 구현했으나, DDR5에서 적용된  8H TSV는 다이 사이의 간격이 40% 감소하고 더욱 얇은 웨이퍼 핸들링 기술을 통해 8개의 다이를 쌓고도 높이가 1mm에  불과하며 더 나은 냉각 기능을 제공하는 것으로 알려졌다.