삼성전자(005930)가 30일 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 양산을 세계
최초로 시작한다. 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업 1위 업체인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있는 포석을 놓았다는
평가가 나온다.
28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 GAA 기반 나노 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존
핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에
양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지킨 셈이다. 이는 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운
TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.
전자 업계에서는 “시장의 부정론은 기우로 끝났다”는 평가가 나온다.
업계 관계자는 "올해 초까지 삼성전자의 3나노 미세공정 시험수율이 10%에서 20% 수준을 유지하다, 최근 30% 이상으로 올라온 것으로 들었다"