* 금일 2023 맥쿼리 Asia Conference에 참가한 삼성전자 해외 NDR 내용이 맥쿼리 리포트로 발간되었습니다. (Samsung's response to HBM: takeaways from NDR)
핵심적인 내용 5가지만 정리하면 다음과 같습니다.
1) 삼성전자는 HBM에 진심이다. 2H23 HBM 출시에 확신을 가지고 있고, 하이엔드 DRAM 시장에서 잃어버린 점유율 확보를 위해 집중하고 있다.
Samsung stages a comeback in HBM. Samsung seems confident on HBM3 roll-out in 2H23 and is poised to recoup the lost share in this rapidly rising
high-end DRAM market
2) 삼성은 현재의 TSV CAPA를 2배 확대하여 2024까지 40K장/월 이상 확대할 계획이다. TSV 공정에 필요한 HBM과 128GB 서버 모듈의 수요가 폭증하고 있기 때문이다.
The company plans to double new capacity of current TSV (through silicon via) capacity to over 40,000 wpm in 2024 to meet surging demand for HBM and 128GB server module, both of which share TSV back-end capacity.
3) 삼성전자는 2023년 기준 HBM의 bit 비중은 전체 DRAM에서 MSD(middle single digit) 수준으로 예상 중이며, 연말에는 DRAM 매출 내에서 약 10% 수준으로 현재 생각 중이다.
Samsung predicts HBM's bit portion out of total DRAM to be mid-single digit % in 2023 and HBM should account for near 10% of its own DRAM revenue before the year-end
4) 메모리 재고는 2Q23에 피크를 지나고, 2H23에 현저하게(significantly) 감소할 것으로 추정한다.
But its inventory level should peak in 2Q23 and is likely to fall significantly in 2H23
5) 파운드리 비즈니스는 24년 GAA 2nm 공정 수주를 기대하며 올해 하반기 점진적인 가동률 상승 구간에 돌입할 것으로 보인다.
Its Foundry division sees gradually improving utilization rate in 2H23 with the hope of winning some project/clients in 2024 on its GAA Gen-2 node.
작성일 : 23-06-26 23:25
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