https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=101&oid=018&aid=0004454499
삼성전자가 이르면 다음달께 세계 최초로 3세대 10나노급 D램을 평택 반도체공장에서 본격 양산한다.
<삼성전자의 엄청난 D램 초격차 업데이트 현황>
* 3세대 10나노급 D램 (경쟁업체가 아직 개발조차 못한 초격차 기술)
- 다음달 세계 최초 3세대 10나노급 D램 평택반도체 공장에서 본격 양산
- 평택 1라인 2층 클린룸, 화성 S3라인(EUV) 등에서 3세대 10나노급 D램 양산 예정
- 또 업계 최초 EUV(극자외선) 공정 적용한 3세대 10나노급 제품도 개발 마무리단계에 접어들어
거의 매일 초격차 기술을 쏟아내고 있는
세계 최고 기업 삼성전자
이번엔 세계 반도체 업계 누구도 아직 개발조차 못한
초격차 기술이 필요한 3세대 10나노급 D램을
삼성전자는 다음달 벌써 양산예정
여기에 EUV공정까지 D램에 업계 최초로 적용한 제품 개발도 마무리 단계
(10나노 미만 한자릿수 공정 D램도 삼성전자가 넘사벽으로 계속 앞서나갈듯)
다른 D램 경쟁업체인 SK하이닉스와 미국 마이크론도
삼성전자의 D램 초격차 기술력은 앞으로도 도저히 따라잡기 어려워보이네요