현실에 눈을 돌려야 할때가왔다. Tsinghua Unigroup가 최근 300억 달러를 투자해 중국 난징에 메모리칩 공장을 건설할 계획을 발표했다. 이것은 많은 중국 전문가에게도 의외의 움직임이었다고 할수있다. 중국 메모리 제조에 관해서는 현재 중국 우한에 본사를 둔 지명도 높은 XMC조차도 장래 불투명으로 되어있는 가운데 이번 Tsinghua Unigroup 발표는 이해하기 어려운 움직임이다.
그러나 이번 Tsinghua Unigroup 난징 공장에 관한 발표는 세계 메모리 시장을 지배하고자하는 중국의 결심을 보여주고 있다고 할수있다.
중국은 다양한 과제가 산적해 있음에도 불구하고, 전진을 계속하고있다. 이러한 과제 중에서도 특히 심각한 문제로 손꼽히는 것이 경험이 풍부한 메모리칩 관련 엔지니어가 부족한 것이나, 경영 전문가의 부족, 미국의 외국인 투자위원회 (CFIUS : Committee on Foreign Investment in the US)의 감시강화등이다.
중국은 최근 몇달동안 외국기업에 인수제안을하고 있지만 모두 CIFUS의 압력에 의해 저지당해 포기하지 않을수없는 결과로 끝났다. 중국 법인이 이러한 압력을받은 경우 해외의 메모리칩 제조업체를 인수하는 것은 거의 불가능하다.
중국의 미디어 회사인 Sina는 최근 Tsinghua Unigroup의 최고경영자인 Zhao Weiguo 씨가 2017년 1월초에 열린 행사에서 말했다는 내용을 다음과 같이 인용하고있다. "Tsinghua Unigroup는 2016년에, 우한에서 메모리 생산공장 건설에 착수했다. 2017년에는 두개의 반도체 제조 공장을 청두와 난징에 건설할 예정이다. 이 3개의 공장 건설 프로젝트에 투자자금은 700억 달러가 넘는다. Tsinghua Unigroup이야말로 IC산업의 미래를 짊어질 기업이다 "
Tsinghua Unigroup 증설계획은 실로 훌륭하다. 그러나 속으로는 "공장건설과 운영과는 다른것"이라는 비판의 목소리도있다. 특히 3D NAND형 플래시 메모리와 같은 복잡한 제품을 제조하는 경우, 공장운영이 매우 어렵다.
반도체 및 전기산업 컨설턴트인 탕지상씨는 이전에, 우한의 3D NAND 플래시 공장건설에 대해 매우 회의적인 시각을하고 있었다. 그는 반도체 엔지니어로 경력을 가지고 일본의 반도체 산업에 대한 저서도 다수 집필하고있다. 그러나 그는 2017년 1월에 실시한 EE Times의 인터뷰에서 "최근 중국에 재료나 반도체 제조 장치를 제공하는 공급 업체로부터 충분한 근거를 얻을수 있었다"라며 지금까지의 회의적인 견해를 부정하고있다.
■ 인재와 제조장비, 자금을 둘러싼 싸움
탕지상씨에 따르면, 중국은 현재 엔지니어의 확보나 반도체 제조장비 (NAND 플래시 제조장비가 일부 부족)등을 둘러싼 다툼이 벌어지고 있다고한다. 또한 중국의 각 도시가 반도체 공장을 건설하는 기업을 유치하려고 출자금의 인상 때문에 지역적인 대립관계가 강해지고 있다는 문제도 발생하고있다.
중국 메모리 사업에 대한 전반적인 분석을 추진함에있어 우선 현지에서 대두되고있는 메모리 칩 제조업체에 대한 자세한 내용을 정리해보고자한다.
미국의 시장 조사 기관인 IC Insights의 부사장인 Brian Matas씨는 2016년말 기준으로 중국의 주요 플레이어로서 다음의 3개를 들고있다.
· XMC : Tsinghua Unigroup에 의해 2016 년 7월에 인수된 모회사 인 Yangtze River Storage Technology (YRST)에 통합되었다. 300mm 웨이퍼 라인을 갖춘 3D NAND 플래시 메모리 공장을 2017년 말 또는 2018년 초에 가동 예정
· Sino King Technology : 2017 년 말에 중국 허페이 (Hefei)에 DRAM 공장을 완성할 예정
· Fujian Jin Hua Integrated Circuit : 2018 년 3분기에 DRAM 공장에서 생산을 개시할 예정
■ Sino King Technology가 탈락 여부
현재 이들 3개사 중 Sino King Technology가 이미 활동을 중지하고있다.
이회사는 원래 엘피다 사장의 사카모토 유키오씨가 설립한 기업이다. 중국에서 경험이 풍부한 반도체 엔지니어가 부족한 문제에 정면으로 대처하기 위해 일본과 대만, 한국에서 1000명의 반도체 엔지니어를 채용하려고 생각했다.
이 회사는 중국에서의 근무에 긍정적인 메모리 엔지니어 180명 확보했지만, 결국은 허페이의 중국 투자 기업이 수석 엔지니어에 약 88만 7000달러라는 고액의 급여를 지불하는 것을 거부하고 사카모토씨는 강렬한 저항에 봉착하게되었다.
Sino King Technology가 제시 한 급여액은 반도체 업계의 상식으로는 생각할 수없는 것이었다. 그러나 사카모토씨는이를 통해 메모리 공장을 가동시키는데 필요한 전문 기술 인력의 확보에 주력하고 있는 중국기업의 문제점을 부각했다.
■ 필요한 것은 특허가 아닌 노하우
실리콘밸리에 본사를 둔 한 반도체 업체의 경영진은 EE Times 2017년 1월에 가진 인터뷰에서 "중국이 결여하고있는것은 특허가 아닌 특허 뒤에있는 제조 노하우이다. 그안에는 건물의 구내 출입절차 및 웨이퍼의 보관방법에 이르기까지 매우 일반적인 폭넓은 내용이 포함된다. 이러한 노하우는 스스로 획득 할수있는 것이 아니기 때문에 다른 사람에게서 배워야한다"고 말했다.
탕지상씨도 이견해에 동의한다. 반도체 장치를 제공하는 업체들에 따르면, XMC는 Samsung Electronics가 서안의 자사 공장에서 사용하는 32층의 NAND 플래시 제조장비와 꼭같은것을, 우한에 공급하도록 강력하게 주장하고 있다.(Samsung는 64 층의 3D NAND 플래시는 한국에서 생산하고있다)
탕지상씨는 "XMC는 같은 스펙의 제조 장비를 조달할수 있지만 그 장치의 사용법을 이해하는 기술자가 없다면 잘 작동할수 없다"고 말했다.
■ 중국은 한국을 배운다
이러한 문제를 해결하기위한 방법은있다. 앞의 실리콘 밸리의 경영진은 "중국은 한국에 배워야한다"고 주장한다. 이것이야말로 중국이 이제 막 대처하여 진행하고 있는것이다.
XMC는 인재를 확보하기 위해, 우선 Samsung 시안 공장에서 일한 경험을 가진 중국인 오퍼레이터를 약 1000명 뽑아낼 생각했다. 또한 XMC는 Samsung와 SK Hynix의 NAND 플래시 관련 수석 엔지니어를 영입하기도 하고있다.
탕지상씨는 이전에도 이러한 시나리오를 본적이 있다고한다. "한국이 일본의 DRAM산업에 잡으려고 분투하고있는시기에 Samsung이 같은 전략을 사용했다"고 그는 설명했다.
Samsung는 1990년대 일본의 DRAM엔지니어를 대량으로 채용했다. 이시기에 채용된 일본인 기술자는 일본에서 본업을 계속하면서 주말에 Samsung에 근무 상당한 보상을 받고 있었다. 주말 서울 - 도쿄 편은 일본인 엔지니어로 가득했다.
그 20년 후 한국은 중국에서 같은 전략을 당하고있다 할수있다. Sino King의 전략은 중국 투자자는 효과가 없었다. 하지만, 우한의 XMC는 Samsung의 시안 공장에서 숙련된 엔지니어를 빼내는것을 마다하지않는다.
■ 예측 불가능한 Tsinghua Unigroup의 움직임
현재 XMC의 모회사인 YRST은 240억 달러를 투자해 300mm 웨이퍼 공장을 건설할 계획을 밝힌 바있다. 이 건설 계획의 제1단계는 2016년 하반기에 착공하고 2019년에 공장이 완공될 예정이라고한다.
이 공장의 웨이퍼 처리능력은 월생산 약30만장의 32층 3D NAND 플래시를 제조할 계획이라고한다.
탕지상씨는 YRST은 확실하게 진보하고 있다고 한다. XMC는 2016년 후반에 Cypress Semiconductor (구 Spansion)의 차지 트랩 기술 "MirrorBit"를 활용한 32층의 3D NAND 플래시의 시험 생산을 2회 실시하고있다. MirrorBit는 NOR 플래시 메모리용으로 개발된후 Samsung이 NAND 플래시에 채용한 기술이다. 탕지상씨에 따르면, 2016년 11월 중순에 실시된 1차시험 생산수율은 (예상대로) 제로였다고한다. 2016년 12월에 실시된 두번째도 마찬가지로 풀스펙에서 동작 가능한 장치의 생산에는 이르지 못했다. 그러나 일부 장치는 낮은 스펙으로 동작 가능했던 것으로 보인다.
XMC는 메모리 제조에서 통상의 학습곡선을 배워가고 있는것 같다.
하지만, 우한의 YRST가 아직 NAND플래시 개발 초기 단계에있을 때, Tsinghua Unigroup 왜 다른 도시에 서둘러 새로운 메모리 공장을 건설하려고하고있는 것일까.
이것은 중국 전문가조차 예상하지 않은 움직임이다.
미국의 독립 연구기관 East-West Center의 시니어 펠로우 인 Dieter Ernst 씨는 Tsinghua Unigroup과 난징간에 체결된 양해각서를 확인하였다. (확인에 하루종일이 걸렸다) 그는 "각서에 따르면 Tsinghua Unigroup은 300억 달러를 투입해 월생산 30만장의 처리능력을 가진 DRAM 또는 NAND 플래시용 웨이퍼 공장을 난징에 건설한다고한다. 그러나 회사가 어떻게 자금을 조달할 것인지는 불분명하다. 난징공장은 2020년 가동 예정인 우한 월생산 30만장의 웨이퍼 공장에 이은 새로운 공장이 될것이다. Tsinghua Unigroup은 또한 280억 달러를 투자해, 월생산 50만장의 웨이퍼 처리능력을 가진 최첨단 로직 파운드리를 청두에 건설할 계획이다"고 말했다.
솔직히 말하자면, 무슨일이 일어나고있는 것일까. Tsinghua Unigroup라고해도 이것은 좀 무모한 계획이 아닐까.
■ 자금의 움직임을 쫓는다
앞의 실리콘밸리의 경영진은 "중국 공장건설에 얽힌 이야기는 우리도 골머리를 앓고있는 중이다. 그러나 이것은 어디까지나 내 개인적인 의견이지만 중국의 움직임을 이해하고 싶다면, 자금의 움직임을 쫓아야한다 "라고 말했다.
그는 "중국은 중앙정부가 전략적으로 자금을 보조하고 있지만, 이것은"동액보조금"과 같은 것이다. (어떤 프로젝트에 정부가 전액 지원하는 것은 아니고) 현지정부 또는 기업도 절반을 낸다"고 말한다. 즉, 철통처럼 보이는 중국도 (적어도 반도체 업계의 경쟁에 관해서는) 성공 하기하기 위해 많은 도시가 치열한 경쟁을 펼친다는 단편화된 같은 도식이 되어있는 것이다.
또한 대만 최대 파운드리인 TSMC가 난징에 300mm 웨이퍼 공장을 건설하기로 합의했다것도 잊어서는 안된다. 그러나 실리콘밸리의 경영진은 "TSMC는 난징에 공장을 건설하기로 합의는했지만, 난징이 기대했던 규모는 아닌 것 같다"고 말했다.
■ 과잉 생산 우려
당연히 중국의 이러한 일련의 움직임은 과잉생산에 대한 우려를 불러 일으키고있다. 2016년 IC Insights의 Matas씨는 "3D NAND 플래시의 생산량을 늘릴 계획을 세우고있는 업체는 Samsung, SK Hynix, Intel, Micron Technology, 도시바 / WD, XMC / YRST, 그리고 신흥 중국 제조 업체 등이있다 . IC Insights는 3D NAND 플래시 미래에 과잉생산 될것을 우려하고있다 "는 견해를 발표하고있다.
■ 중국은 힘든 선택 하나
East-West Center의 Ernst 씨는 "중국의 메모리 기술에 대한 투자가 계속되면 DRAM도 NAND 플래시도 확실히 과잉생산은 될지도 모른다. 하지만 이것은 Samsung에만 의존하고있는 현상을 타파할수 있다는 의미에서는 환영 할만한 일이 아닐까 "라고 말한다. 그는 "메모리에 주력하는 것은 중국으로서는 최선의 결정이지 아닐지도 모른다. 메모리라는 것은 돈을 물쓰듯 소비하는 사업이기 때문이다. 그는 낙관적이지 않다."중국에게 메모리 사업진출은 수익이 불확실한 프로젝트에 막대한 자금을 투입해 계속 앞으로 수십년에 걸쳐 싸우지 않으면 안된다는 것을 의미한다 "
번역:해외 네티즌 반응 | 가생이닷컴 www.gasengi.com
작성일 : 17-02-07 09:20
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