특히 미국의 기술 이전 거부로 △능동위상배열(AESA) 레이더 △적외선 탐색·추적장비(IRST)
△전자광학 표적 획득·추적장비(EO TGP) △통합 전자전 장비(EW Suite) 등 핵심 장비들이
모두 국내 기술로 개발되고 있다. 이중 AESA 레이더의 국산화율은 89%,
통합 전자전 장비 국산화율은 77%를 자랑한다.
이들 핵심 장비들은 개발 성공을 눈앞에 두고 있다.
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https://m.edaily.co.kr/news/Read?newsId=01387446628979384
한편
이에 DMC 융합연구단은 C-대역, X-대역 레이더 송수신기용 스위치 집적회로를
개발했다. 연구진은 고출력을 견디는 데 유리한 GaN을 활용해 집적회로를
개발하면서 각각 40와트(W) 수준과 30와트 수준의 출력과 30dB 이상의
격리도 성능을 낼 수 있었다.
이는 선도 연구기관인 미국이나 유럽의 상용 제품과 대등한 수준이다. 연구진이
만든 질화갈륨 스위치는 1.3×1.55×0.1mm 수준으로 0.2mm³ 크기를 가져,
서큘레이터 크기를 98mm³로 만듦으로써 기존 대비 부피를 450배 줄였다.
모듈 무게도 최대 10% 이상 감량할 수 있다고 설명했다.
이번 기술은 전투기 능동위상배열(AESA, 에이사) 전단부를 비롯해 민간 선박,
기상 레이더 송수신기 모듈 등 다양한 분야로의 활용이 기대된다.
출처 : 테크월드뉴스(http://www.epnc.co.kr)
스위치회로는 국산화했다는 걸로 보아
11% 외산 비중은 주로 GaN소자를 만드는 데 드는 GaN 기판 자체가
아닐런지 추정해 봅니다.
따라서 대부분은 국산이라는 것이 간접적으로 입증되네요
이 GaN 자체도 국산화한다는 소식은 있습니다만
어찌되었던 첫 시도에 이정도의 국산화를 이뤄냈다는 건
대단한 일입니다.