다기능 레이더용 X밴드 대역 25W급 GaN 전력증폭기 MMIC 공정기술 개발한다고 하니
"어? 이미 기술 개발한 거 아니었나? 그래서 KFX용 AESA 레이더 입증시제품 만든 거 아님?"
이런 생각이 들 수 있는데요. 기술 개발한 거 맞습니다.
그런데 기존에 개발한 것은 출력 20W 질화갈륨 전력증폭 소자입니다.
이번에 공정기술 개발한다는 건 25W로 출력이 높아진 거죠.
우리가 아는 반도체 공정이 나노미터 수치가 작아질 때마다 공정 기술을 새로 개발하고
반도체 생산 라인을 다시 지어야 하듯이, 질화갈륨 소자도 더 높은 기술을 개발해야
출력이 더 높은 소자를 만들 수 있는 것이죠.
참고로 질화갈륨 소자도 우리가 흔히 아는 반도체 공정처럼 웨이퍼에서 뽑아냅니다.
참고로 우리나라는 이미 2012년에 10W급 질화갈륨 소자를 개발한바 있습니다.
즉, 질화갈륨 소자 기술 자체는 일찍이 개발했고 출력을 높이는 단계에 있는 것이죠
UMS사에서 15W급 질화갈륨 전력증폭기 제품을 개발한게 2015년이니까
20~25W면 우리 기술도 상당한 수준입니다.