https://n.news.naver.com/mnews/article/003/0012271711?sid=101
본문 발췌:
"'4인치 다이아몬드 웨이퍼' 개발에 성공… 국내 최초
고출력 GaN RF 반도체 및 전력반도체 소재로 적용 가능RFHIC는 독보적인 기술력 및 자체적으로 보유하고 있는 마이크로웨이브 CVD(화학기상증착) 장비를 활용해 직경 4인치 다이아몬드 웨이퍼 개발에 성공했다. (중략) 특히 GaN 소자에 RFHIC가 개발한 다이아몬드 웨이퍼를 접합 시킬 경우, 기존 구리(Cu)를 접합 시켰을 때와 비교하면 GaN RF 반도체 및 전력 반도체 소자 구동 시 4배 이상 열을 효과적으로 분산 및 배출시킬 수 있다. 이에 따라 열전도도가 높아짐으로써 기존의 구리(Cu) 방열소재 적용소자 대비 RF 출력을 최소 50%에서 최대 200%까지 증가시킬 수 있다고 회사 측은 설명했다.RFHIC 관계자는 (중략) "초기에 5G, 6G, 위성통신, 방산용 전력증폭기에 사용할 수 있도록 테스트 및 양산을 추진할 계획이며, 향후에는 양자 컴퓨터 등에 적용될 수 있는 다이아몬드 웨이퍼도 개발할 예정"이라고 덧붙였다．뉴시스 배요한 기자
작성일 : 23-12-23 20:42
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