근데..
대만놈들이 TSMC에 대해
이다지도 걱정하고 개소리하고 거짓말하는 것도 너무 오바야.
사실 TSMC의 지분 80% 이상이 외국인 주주이니까
세금도 적게 내고, 인건비도 싸고...그 건 뺀 나머지는 다 외국으로 빠져 나가는 구조거등.
뉴욕에 상장했기에 시총 자체가 마치 애플이나 쿠팡처럼...
아주 거대하게 뻥튀기 되었는 것인데도...
그것도 모르고 무조건 자랑질이나 하고 자빠지고 있고.
하긴 왜놈들은 그런 거라도 이제 없으니 ..
허구언날 삼성 빨아주니까 삼성 내부 개발자들 자아도취에 빠져 지들이 진짜 성능좋은
반도체,전자제품 잘 만든다고 자만에 빠져있더니 결국 갤럭시 성능 이슈 터지고, 최신 파운드리
제조공정 수율 이슈 터지고 아주 지;럴 여언병을 하고 자빠져들 있네. 예전부터 삼성 폰 개쓸애기 성능
때문에 안썼지만, 이번처럼 밑바닥 제대로 들어난적은 처음이네요. 삼성 갤럭시,파운드리에서 일하는
이 무능력한 개발자들아 나같았으면 능력없어서 내손으로 사표 썼겠다. 애플 개발자들 발톱에 때만큼도
능력없는 삼성 개발자들 ㅋ
이번 같은 공정에서 스냅드래곤과 엑시노스의 수율차이는 설계 차이일 수도 있습니다.
요즘 4나노들이 트렌지스터와 회선을 세로로, 3차원으로 배치해서 면적을 줄이는 방식이지 실제로 들어가는 트랜지스터크기와 회선의 면적당 구리 원자 갯수 차이는 10나노와 거의 차이가 없는 것으로 알고 있습니다.
이는 회선과 트렌지스터의 크기와 배치에 따라 수율과 성능이 영향을 받을 수 있다는 이야기가 됩니다.
기본 cpu 로직 설계도는 ARM에서 설계도를 사오지만, 실제 공정에서 구현할 때의 설계도는 결국 설계 엔지니어가 알고리즘 화 해서 설계 프로그램이 어떻게 구조를 짜느냐 하는 문제가 발생하죠.
메모리는 정말 단순한 패턴의 반복이라 이 알고리즘 차이가 그리 크지 않고 공정빨로 밀지만 로직 반도체는 이 설계 알고리즘 차이가 매우 큽니다. 애플의 M시리즈는 이 차이를 극명하게 보여주죠. 같은 TSMC 공정을 써도 스냅드래곤을 전성비에서 압도해버리니까요.
제가 보기엔 이 부분에 탑엔지니어 능력이 삼성이 뒤떨어지고, 이러한 인재를 쉽게 키울 수도 데려올 수도 없기 때문에 차이가 벌어진다고 봅니다.
짐 켈러 같은 엔지니어를 구할 수 있다면 정말 좋겠는데.....